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本标准规定了确定氧化层时间相关介质击穿(tddb)导致器件特性参数退化的失效时间试验方法，从而进一步评价器件在正常工作条件下因tddb而失效的时间。
本标准适用于cmos集成电路tddb特性的测试。own (tddb) 2018-01-18发 布 2018-05-01实 施 ＠ 国 家 国 防 科 技 工 业 局 发 布 sj 21381-2018 月 i) 本标准附录a是规范性附录 。 本标准由工业和信息化部电子第四研究院提出 。 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口 。 本标准起草单位：工业和信息化部电子第四研究院 、 西安电子科技大学 、 中国航天科技集团公司第 九 研 究 院 第 七 七 一 研 究 所 、 北 京 燕 东 微 电 子 有w - /111 0一 中 国 电 子 科 技 集 团 公 司 第 二 十 四 研 究 所 、 中 国 电 子科技集团公司第五十八研究 本标准主要起草人：辘万贾翦樘 、 翅袭莲舡卫雇照 、 j渡攀戎二 、 彦秀 、 黄磊 、 王志宽 、 顾祥 、 岁 晓羽 、 尹航 、 廖听 sj 21381-2018 时 间 相 关