第10 000片晶圆下线！国产12寸线量产，中芯集成三期-米乐app官方

6月17日，中芯集成三期12英寸中试线量产暨第10000片晶圆下线仪式举行。

图片来源：绍兴发布

6月1日，中芯集成公告称，其及子公司中芯先锋与绍兴滨海新区芯瑞基金签订《中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司之投资协议》，投资建设中芯绍兴三期12英寸特色工艺晶圆制造中试线项目（计划今年完成建设），主要生产igbt、sj等功率芯片，hvic（bcd）等功率驱动芯片。

该项目总投资42亿元，用于建设一条集研发和月产1万片12寸集成电路特色工艺晶圆小规模工程化、国产验证及生产验证的中试实验线。

绍兴发布消息称，目前绍兴已形成较为完备的集成电路全产业链，2022年产业规模已突破500亿元。

wafer晶圆半导体制造流程图解

从一堆沙子，到一个精密的芯片，这中间究竟经历了什么环节，各个环节又需要什么样的技术呢？

1.从砂子到硅片。

所谓“半导体”，是一种导电性能介于“导体”和“绝缘体”之间的物质总称。导体能导电，比如铁铜银等金属，绝缘体不导电，比如橡胶。芯片的制作为什么要用半导体？因为 半导体的导电与所加电场方向有关，即它的导电是可以有方向性的。比如，给半导体两端加上正电压，它可能就导电；反之，将它两端所加的电压极性反过来，就不导电。而这种性能，可以做成“电子开关”。我们都听说过“计算机做的都是二进制的0-1运算”，这种运算体现在物理层面就是指“高低电位的变化”，高电位代表1，低电位代表0。高低电位在复杂的电路设计下面可以实现复杂的转化，这样表现出来就好像是计算机在做01运算。半导体的这种电学特性可以设计成电子开关，可以很好实现高低电位的转化。

在自然界中，获取成本最低的半导体就是硅。而硅料的提取是熔炼砂子。提到这里可能有朋友想到“光伏电池片用的也是硅片”。没错， 生产芯片和生产光伏电池片在硅片制作环节是非常相似的，都是需要先熔炼取硅，然后做切割、研磨等工艺，因此，你可能会看到一些光伏产业链的股票也伴有半导体概念，比如高测股份。

芯片用硅和光伏用硅最大的区别就在于纯度不同。 在纯度方面，光伏用单晶硅片的纯度要求硅含量为4n-6n之间（99.99%-99.9999%），但是半导体用单晶硅片在9n（99.9999999%）-11n（99.999999999%）左右，纯度要求最低是光伏单晶硅片的1000 倍。在外观方面，半导体用硅片在表面的平整度，光滑度和洁净程度要比光伏用硅片的要求高。

总结来说，砂子到硅片需要经过熔炼、切片、研磨、蚀刻、抛光等过程，最终形成一片片的晶圆（所谓晶圆，就是圆形的高纯度硅片）。

硅料领域主要有tcl中环，切片领域主要有高测股份，抛光领域主要有华特气体、鼎龙股份等。

好了，此时你得到了一片片处理好的高纯度硅片，接下来我们就需要我们需要在晶圆上雕刻电路，形成能用的芯片。在下面的工艺流程中，大致可以分为前端工艺、后端工艺和测封。

制造第一阶段 ： 提炼硅锭 沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子 ( 尤其是石英 ) 最多包含 25 ％的硅元素，以二氧化硅 (sio2) 的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。

硅熔炼： 12 英寸 /300 毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅 (egs) ，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭 (ingot) 。

单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约 100 千克，硅纯度 99.9999 ％。

制造第二阶段 ： 硅锭切割 硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆 (wafer) 。

晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。事实上，所有的芯片公司自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在主流的 45nm hkmg( 高 k 金属栅极 ) 。

制造第三阶段 ： 光刻

光刻胶 (photo resist) ：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。

光刻：光刻胶层随后透过掩模 (mask) 被曝光在紫外线 (uv) 之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。

光刻：由此进入 50-200 纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约 3000 万个。

制造第四阶段 ： 光刻胶的使命 溶解光刻胶： 光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。

蚀刻： 使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。

清除光刻胶： 蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。

制造第五阶段 ： 离子注入 光刻胶：再次浇上光刻胶 ( 蓝色部分 ) ，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。

离子注入 (ion implantation) ：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射 ( 注入 ) 固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过 30 万千米每小时。

清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域 ( 绿色部分 ) 也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。

制造第六阶段 ： 电镀晶圆 晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材 ( 品红色 ) 上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。

电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极 ( 阳极 ) 走向负极 ( 阴极 ) 。

铜层： 电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。

抛光： 将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。

金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约 500 纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含 20 多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。

制造第七阶段 ： 晶圆测试 晶圆测试：内核级别，大约 10 毫米 /0.5 英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。

晶圆切片 (slicing) ：晶圆级别， 300 毫米 /12 英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一个芯片的内核 (die) 。

制造第八阶段 ： 晶圆检测

丢弃瑕疵内核： 晶圆级别。 测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的。